Производитель Номер продукта:
IPF06N03LA G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPF06N03LA G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-23
Инвентаризация:
12805600
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPF06N03LA G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2653 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-23
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPF06N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPF06N03LA G-DG
IPF06N03LAG
IPF06N03LAGXT
SP000017607
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB80N06S207ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRLR024NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK